在高頻特性方面，AＴＣ的芯片電容表現(xiàn)出色，具有極低的等效串聯(lián)電阻（ＥＳＲ）和等效串聯(lián)電感（ＥＳＬ）。這一特性使得它在高頻范圍內(nèi)損耗極低，能夠有效濾除高頻噪聲和干擾信號，提供穩(wěn)定可靠的高頻性能。例如，可以射頻功率放大器和微波電路中，這種低ＥＳＲ／ＥＳＬ設計明顯降低了熱耗散，提高了電路的整體效率和信號完整性。同時，其高自諧振頻率（可達ＧＨｚ級別）確保了在高頻應用中的可靠性，避免了因自諧振導致的性能下降。ATC芯片電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質(zhì)，具備很好的溫度穩(wěn)定性和極低的容值漂移。116XHC430J100TT

100E系列支持500V額定電壓，通過**高壓老化測試，可在250%耐壓下持續(xù)工作5秒不擊穿。**設備如MRI系統(tǒng)的梯度放大器需承受瞬間高壓脈沖，ATC電容的絕緣電阻＞10^12Ω，杜絕漏電風險，符合AEC-Q200車規(guī)認證。在5GMassiveMIMO天線陣列中，ATC600S系列（0603封裝）憑借0.1pF至100pF容值范圍，實現(xiàn)帶外噪聲抑制＞60dB。其低插損（＜0.1dB@2.6GHz）特性可減少基站功耗，配合環(huán)形器設計，將鄰頻干擾降低至-80dBm以下，滿足3GPPTS38.104標準。116XBB3R0C100TT微波頻段表現(xiàn)很好，適合毫米波通信和雷達系統(tǒng)。

在測試與測量設備中，ATC電容用于示波器探頭補償、頻譜分析儀輸入電路及信號發(fā)生器的濾波網(wǎng)絡，其高精度和低溫漂特性有助于保持儀器的長期測量準確性。通過激光調(diào)阻和精密修刻工藝，可提供容值精確匹配的電容陣列或配對電容，用于差分信號處理、平衡混頻器和推挽功率放大器中的對稱電路設計。在物聯(lián)網(wǎng)設備中，其低功耗特性與微型化尺寸相得益彰，為藍牙模塊、LoRa節(jié)點及能量采集系統(tǒng)的電源管理和信號處理提供高效可靠的電容解決方案。

在高頻微波電路中，ATC電容可用于實現(xiàn)低插損的直流阻斷、阻抗變換和射頻耦合功能，其性能穩(wěn)定性明顯優(yōu)于分立傳輸線結(jié)構(gòu)，有助于簡化電路設計并提高系統(tǒng)一致性。在電力電子領域，其高絕緣電阻（通常超過10GΩ）和低泄漏電流特性，使ATC電容適用于電能計量芯片的參考電容、隔離反饋電路及新能源逆變器的電壓檢測回路。該類電容具有良好的抗脈沖沖擊能力，可承受高達100A/μs的電流變化率，用于IGBT/MOSFET緩沖電路和開關(guān)電源中的吸收回路，能有效抑制電壓過沖和減小開關(guān)損耗。提供定制化服務，可根據(jù)特殊需求開發(fā)型號。

ＡＴＣ芯片電容的無壓電效應特性消除了傳統(tǒng)ＭＬＣＣ因電壓變化產(chǎn)生的振動和嘯叫問題，適用于高保真音頻設備和敏感測量儀器，提供了更純凈的信號處理能力。在光通信領域，ＡＴＣ芯片電容的低ＥＳＬ和ＥＳＲ特性確保了高速收發(fā)模塊（如ＤＳＰ、ＳｅｒＤｅｓ）的信號完整性，減少了噪聲對傳輸?shù)挠绊?，提高了信噪比和穩(wěn)定性。其高Ｑ值（品質(zhì)因數(shù)）特性使得ＡＴＣ芯片電容在高頻諧振電路和濾波器中表現(xiàn)優(yōu)異，降低了能量損失，提高了電路的選擇性和效率。在阻抗匹配網(wǎng)絡中提供精確的容值控制，優(yōu)化功率傳輸。116XHC430J100TT

符合RoHS和REACH環(huán)保標準，滿足綠色制造要求。116XHC430J100TT

高自諧振頻率（SRF）是ATC電容適用于現(xiàn)代高速電路的前提。由于其極低的寄生電感，其SRF可達數(shù)十GHz。這意味著在當今主流的高速數(shù)字和射頻電路工作頻段內(nèi)，ATC電容仍然表現(xiàn)為一個純電容，發(fā)揮著預期的去耦、濾波作用，而不會因進入感性區(qū)域而失效，這是普通電容無法做到的。航空航天與應用要求元件能承受極端的環(huán)境應力，包括寬溫范圍（-55°C至+125°C及以上）、度振動、沖擊、真空輻射環(huán)境等。ATC芯片電容的設計和測試標準源自需求，其產(chǎn)品在此類極端條件下表現(xiàn)出的堅固性和性能穩(wěn)定性，是雷達系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、導航設備和飛行控制系統(tǒng)中受信賴的元件之一。116XHC430J100TT

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