4.時延匹配在做到時延的匹配時，往往會在布線時采用trombone方式走線，另外，在布線時難免會有切換板層的時候，此時就會添加一些過孔。不幸的是，但所有這些彎曲的走線和帶過孔的走線，將它們拉直變?yōu)榈乳L度理想走線時，此時它們的時延是不等的，

顯然，上面講到的trombone方式在時延方面同直走線的不對等是很好理解的，而帶過孔的走線就更加明顯了。在中心線長度對等的情況下，trombone走線的時延比直走線的實際延時是要來的小的，而對于帶有過孔的走線，時延是要來的大的。這種時延的產(chǎn)生，這里有兩種方法去解決它。一種方法是，只需要在EDA工具里進行精確的時延匹配計算，然后控制走線的長度就可以了。而另一種方法是在可接受的范圍內(nèi)，減少不匹配度。對于trombone線，時延的不對等可以通過增大L3的長度而降低，因為并行線間會存在耦合，其詳細的結果，可以通過SigXP仿真清楚的看出，L3長度的不同，其結果會有不同的時延，盡可能的加長S的長度，則可以更好的降低時延的不對等。對于微帶線來說，L3大于7倍的走線到地的距離是必須的。 DDR測試技術介紹與工具分析；信號完整性測試DDR測試工廠直銷

什麼是DDR內(nèi)存？如何測試？

近幾年來，CPU的速度呈指數(shù)倍增長。然而，計算機內(nèi)存的速度增長確不盡人意。在1999年，大批量的PC133內(nèi)存替代PC100。其間，英特爾公司推出Rambus內(nèi)存作為PC工業(yè)的內(nèi)存解決方案。在內(nèi)存技術不斷發(fā)展的時代，每一種新技術的出現(xiàn)，就意味著更寬的頻帶范圍和更加優(yōu)越的性能。內(nèi)存峰值帶寬定義為：內(nèi)存總線寬度/8位X數(shù)據(jù)速率。該參數(shù)的提高會在實際使用過程中得到充分體現(xiàn)：3維游戲的速度更快，MP3音樂的播放更加柔和，MPEG視頻運動圖像質(zhì)量更好。今年，一種新型內(nèi)存：DDR內(nèi)存面世了。對大多數(shù)人來說，DDR仍然是一個陌生的名詞，然而，它確是數(shù)以百計前列內(nèi)存和系統(tǒng)設計師3年來通力合作的結晶。DDR的出現(xiàn)預示著內(nèi)存帶寬和性能的提高，然而與Rambus內(nèi)存相比更重要的一點是DDR的價格更低。 信號完整性測試DDR測試工廠直銷解決DDR內(nèi)存系統(tǒng)測試難題？

DDR測試

DDR總線上需要測試的參數(shù)高達上百個，而且還需要根據(jù)信號斜率進行復雜的查表修正。為了提高DDR信號質(zhì)量測試的效率，比較好使用的測試軟件進行測試。使用自動測試軟件的優(yōu)點是：自動化的設置向?qū)П苊膺B接和設置錯誤；優(yōu)化的算法可以減少測試時間；可以測試JEDEC規(guī)定的速率，也可以測試用戶自定義的數(shù)據(jù)速率；自動讀/寫分離技術簡化了測試操作；能夠多次測量并給出一個統(tǒng)計的結果；能夠根據(jù)信號斜率自動計算建立/保持時間的修正值。由于DDR5工作時鐘比較高到3.2GHz,系統(tǒng)裕量很小，因此信號的隨機和確定性抖動對于數(shù)據(jù)的正確傳輸至關重要，需要考慮熱噪聲引入的RJ、電源噪聲引入的PJ、傳輸通道損耗帶來的DJ等影響。DDR5的測試項目比DDR4也更加復雜。比如其新增了nUI抖動測試項目，并且需要像很多高速串行總線一樣對抖動進行分解并評估RJ、DJ等不同分量的影響。另外，由于高速的DDR5芯片內(nèi)部都有均衡器芯片，因此實際進行信號波形測試時也需要考慮模擬均衡器對信號的影響。展示了典型的DDR5和LPDDR5測試軟件的使用界面和一部分測試結果。

5.串擾在設計微帶線時，串擾是產(chǎn)生時延的一個相當重要的因素。通常，可以通過加大并行微帶線之間的間距來降低串擾的相互影響，然而，在合理利用走線空間上這是一個很大的弊端，所以，應該控制在一個合理的范圍里面。典型的一個規(guī)則是，并行走線的間距大于走線到地平面的距離的兩倍。另外，地過孔也起到一個相當重要的作用，圖8顯示了有地過孔和沒地過孔的耦合程度，在有多個地過孔的情況下，其耦合程度降低了7dB?？紤]到互聯(lián)通路的成本預算，對于兩邊進行適當?shù)姆抡媸潜仨毜?，當在所有的網(wǎng)線上加一個周期性的激勵，將會由串擾產(chǎn)生的信號抖動，通過仿真，可以在時域觀察信號的抖動，從而通過合理的設計，綜合考慮空間和信號完整性，選擇比較好的走線間距。借助協(xié)議解碼軟件看DDR的會出現(xiàn)數(shù)據(jù)有那些；

6.信號及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信號切換情況下，其電源的容差性。當未符合此容差要求時，將會導致很多的問題，比如加大時鐘抖動、數(shù)據(jù)抖動和串擾。這里，可以很好的理解與去偶相關的理論，現(xiàn)在從”目標阻抗”的公式定義開始討論。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent（1）在這里，關鍵是要去理解在差的切換情況下瞬間電流（TransientCurrent）的影響，另一個重要因素是切換的頻率。在所有的頻率范圍里，去耦網(wǎng)絡必須確保它的阻抗等于或小于目標阻抗（Ztarget）。在一塊PCB上，由電源和地層所構成的電容，以及所有的去耦電容，必須能夠確保在100KHz左右到100-200MH左右之間的去耦作用。頻率在100KHz以下，在電壓調(diào)節(jié)模塊里的大電容可以很好的進行去耦。而頻率在200MHz以上的，則應該由片上電容或用的封裝好的電容進行去耦。DDR信號質(zhì)量的測試方法、測試裝置與測試設備與流程；信號完整性測試DDR測試工廠直銷

DDR總線利用率和讀寫吞吐率的統(tǒng)計；信號完整性測試DDR測試工廠直銷

DDR測試

DDR內(nèi)存的典型使用方式有兩種：一種是在嵌入式系統(tǒng)中直接使用DDR顆粒，另一種是做成DIMM條(DualIn-lineMemoryModule,雙列直插內(nèi)存模塊，主要用于服務器和PC)或SO-DIMM(SmallOutlineDIMM,小尺寸雙列直插內(nèi)存，主要用于筆記本)的形式插在主板上使用。在服務器領域，使用的內(nèi)存條主要有UDIMM、RDIMM、LRDIMM等。UDIMM(UnbufferedDIMM,非緩沖雙列直插內(nèi)存)沒有額外驅(qū)動電路，延時較小，但數(shù)據(jù)從CPU傳到每個內(nèi)存顆粒時，UDIMM需要保證CPU到每個內(nèi)存顆粒之間的傳輸距離相等，設計難度較大，因此UDIMM在容量和頻率上都較低，通常應用在性能/容量要求不高的場合。 信號完整性測試DDR測試工廠直銷