DDR信號(hào)的DC和AC特性要求之后，不知道有什么發(fā)現(xiàn)沒有?對(duì)于一般信號(hào)而言，DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號(hào)的電平大小問題。但是在DDR中的AC特性規(guī)范中，我們可以注意一下，其Overshoot和Undershoot指向的位置，到底代表什么含義?有些讀者可能已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，是沒有辦法從這個(gè)指示當(dāng)中獲得準(zhǔn)確的電壓值的。這是因?yàn)椋贒DR中，信號(hào)的AC特性所要求的不再是具體的電壓值，而是一個(gè)電源和時(shí)間的積分值。影面積所示的大小，而申壓和時(shí)間的積分值，就是能量!因此，對(duì)于DDR信號(hào)而言，其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小，而是能量的大小!這一點(diǎn)是不同于任何一個(gè)其他信號(hào)體制的，而且能量信號(hào)這個(gè)特性，會(huì)延續(xù)在所有的DDRx系統(tǒng)當(dāng)中，我們會(huì)在DDR2和DDR3的信號(hào)體制中，更加深刻地感覺到能量信號(hào)對(duì)于DDRx系統(tǒng)含義。當(dāng)然，除了能量的累積不能超過AC規(guī)范外，比較大的電壓值和小的電壓值一樣也不能超過極限，否則，無需能量累積，足夠高的電壓就可以一次擊穿器件。DDR3內(nèi)存有哪些常見的容量大?。客ㄐ臘DR3測(cè)試銷售電話

雙擊PCB模塊打開其Property窗口,切換到LayoutExtraction選項(xiàng)卡，在FileName處瀏覽選擇備好的PCB文件ddr3.spdo在ExtractionEngine下拉框里選擇PowerSL所小。SystemSI提供PowerSI和SPEED2000Generator兩種模型提取引擎。其中使用PowerSI可以提取包含信號(hào)耦合，考慮非理想電源地的S參數(shù)模型；而使用SPEED2000Generator可以提取理想電源地情況下的非耦合信號(hào)的SPICE模型。前者模型提取時(shí)間長(zhǎng)，但模型細(xì)節(jié)完整，適合終的仿真驗(yàn)證；后者模型提取快，SPICE模型仿真收斂性好，比較適合設(shè)計(jì)前期的快速仿真迭代。通信DDR3測(cè)試銷售電話DDR3一致性測(cè)試和DDR3速度測(cè)試之間有什么區(qū)別？

單擊NetCouplingSummary,出現(xiàn)耦合總結(jié)表格，包括網(wǎng)絡(luò)序號(hào)、網(wǎng)絡(luò)名稱、比較大干擾源網(wǎng)絡(luò)、比較大耦合系數(shù)、比較大耦合系數(shù)所占走線長(zhǎng)度百分比、耦合系數(shù)大于0.05的走線 長(zhǎng)度百分比、耦合系數(shù)為0.01?0.05的走線長(zhǎng)度百分比、總耦合參考值。

單擊Impedance Plot (Collapsed),查看所有網(wǎng)絡(luò)的走線阻抗彩圖。注意，在彩圖 上方有一排工具欄，通過下拉按鈕可以選擇查看不同的網(wǎng)絡(luò)組，選擇不同的接收端器件，選 擇查看單端線還是差分線。雙擊Plot±的任何線段，對(duì)應(yīng)的走線會(huì)以之前定義的顏色(白色) 在Layout窗口中高亮顯示。

走線阻抗/耦合檢查

走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有，流程也是一樣的。本例通過 Allegro Sigrity SI 啟動(dòng) Trace Impedance/Coupling Check,自動(dòng)調(diào)用 PowerSI 的流程。下面通過實(shí)例來介紹走線阻抗/耦合檢查的方法。

啟動(dòng) Allegro Sigrity SI,打開 DDR_Case_Check.brd。單擊菜單 AnalyzeTrace Impedance/Coupling Check,在彈出的 SPDLINK Xnet Selection 窗口 中單擊 OK 按鈕。整個(gè).brd 文件將被轉(zhuǎn)換成.spd文件，并自動(dòng)在PowerSI軟件界面中打開。 如何選擇適用于DDR3一致性測(cè)試的工具？

DDR3（Double Data Rate 3）是一種常見的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，它定義了數(shù)據(jù)傳輸和操作時(shí)的時(shí)序要求。以下是DDR3規(guī)范中常見的時(shí)序要求：

初始時(shí)序（Initialization Timing）tRFC：內(nèi)存行刷新周期，表示在關(guān)閉時(shí)需要等待多久才能開啟并訪問一個(gè)新的內(nèi)存行。tRP/tRCD/tRA：行預(yù)充電時(shí)間、行開放時(shí)間和行訪問時(shí)間，分別表示在執(zhí)行讀或?qū)懖僮髦靶枰A(yù)充電的短時(shí)間、行打開后需要等待的短時(shí)間以及行訪問的持續(xù)時(shí)間。tWR：寫入恢復(fù)時(shí)間，表示每次寫操作之間小需要等待的時(shí)間。數(shù)據(jù)傳輸時(shí)序（Data Transfer Timing）tDQSS：數(shù)據(jù)到期間延遲，表示內(nèi)存控制器在發(fā)出命令后應(yīng)該等待多長(zhǎng)時(shí)間直到數(shù)據(jù)可用。tDQSCK：數(shù)據(jù)到時(shí)鐘延遲，表示從數(shù)據(jù)到達(dá)內(nèi)存控制器到時(shí)鐘信號(hào)的延遲。tWTR/tRTW：不同內(nèi)存模塊之間傳輸數(shù)據(jù)所需的小時(shí)間，包括列之間的轉(zhuǎn)換和行之間的轉(zhuǎn)換。tCL：CAS延遲，即列訪問延遲，表示從命令到讀或?qū)懖僮鞯挠行?shù)據(jù)出現(xiàn)之間的延遲。刷新時(shí)序（Refresh Timing）tRFC：內(nèi)存行刷新周期，表示多少時(shí)間需要刷新一次內(nèi)存行。 如何解決DDR3一致性測(cè)試期間出現(xiàn)的錯(cuò)誤？廣東DDR3測(cè)試測(cè)試流程

DDR3內(nèi)存的一致性測(cè)試是否需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行？通信DDR3測(cè)試銷售電話

DDR4： DDR4釆用POD12接口，I/O 口工作電壓為1.2V；時(shí)鐘信號(hào)頻率為800?1600MHz； 數(shù)據(jù)信號(hào)速率為1600?3200Mbps；數(shù)據(jù)命令和控制信號(hào)速率為800?1600Mbps。DDR4的時(shí) 鐘、地址、命令和控制信號(hào)使用Fly-by拓?fù)渥呔€；數(shù)據(jù)和選通信號(hào)依舊使用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹形拓 撲，并支持動(dòng)態(tài)ODT功能；也支持Write Leveling功能。

綜上所述，DDR1和DDR2的數(shù)據(jù)和地址等信號(hào)都釆用對(duì)稱的樹形拓?fù)?；DDR3和DDR4的數(shù)據(jù)信號(hào)也延用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹形拓?fù)?。升?jí)到DDR2后，為了改進(jìn)信號(hào)質(zhì)量，在芯片內(nèi)為所有數(shù)據(jù)和選通信號(hào)設(shè)計(jì)了片上終端電阻ODT(OnDieTermination)，并為優(yōu)化時(shí)序提供了差分的選通信號(hào)。DDR3速率更快，時(shí)序裕量更小，選通信號(hào)只釆用差分信號(hào)。 通信DDR3測(cè)試銷售電話