該設(shè)備搭載的 - 80℃深制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡形成黃金組合，從硬件層面確保了超高檢測靈敏度的穩(wěn)定輸出。這種良好的性能使其能夠突破微光信號檢測的技術(shù)瓶頸，即便在微弱漏電流環(huán)境下，依然能捕捉到納米級的極微弱發(fā)光信號，將傳統(tǒng)設(shè)備難以識別的細(xì)微缺陷清晰呈現(xiàn)。作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的關(guān)鍵檢測工具，它為質(zhì)量控制與失效分析提供了可靠的解決方案：在生產(chǎn)環(huán)節(jié)，可通過實時監(jiān)測提前發(fā)現(xiàn)潛在的漏電隱患，幫助企業(yè)從源頭把控產(chǎn)品質(zhì)量；在失效分析階段，借助高靈敏度成像技術(shù)，能快速鎖定漏電缺陷的位置，并支持深度溯源分析，為工程師優(yōu)化生產(chǎn)工藝提供精密的數(shù)據(jù)支撐。 它不依賴外部激發(fā)（如激光或電流注入），而是利用芯片本身在運行或偏壓狀態(tài)下產(chǎn)生的“自發(fā)光”；檢測用微光顯微鏡工作原理

在實際開展失效分析工作前，通常需要準(zhǔn)備好檢測樣品，并完成一系列前期驗證，以便為后續(xù)分析提供明確方向。通過在早期階段進行充分的背景調(diào)查與電性能驗證，工程師能夠快速厘清失效發(fā)生的環(huán)境條件和可能原因，從而提升分析的效率與準(zhǔn)確性。

首先，失效背景調(diào)查是不可或缺的一步。它需要對芯片的型號、應(yīng)用場景及典型失效模式進行收集和整理，例如短路、漏電、功能異常等。同時，還需掌握失效比例和使用條件，包括溫度、濕度和電壓等因素。

微光顯微鏡牌子針對射頻芯片，Thermal EMMI 可捕捉高頻工作時的局部熱耗異常，輔助性能優(yōu)化。

隨后，通過去層處理逐步去除芯片中的金屬布線層和介質(zhì)層，配合掃描電子顯微鏡（SEM）的高分辨率成像以及光學(xué)顯微鏡的細(xì)節(jié)觀察，進一步確認(rèn)缺陷的具體形貌。這些缺陷可能表現(xiàn)為金屬線路的腐蝕、氧化層的剝落或晶體管柵極的損傷。結(jié)合實驗結(jié)果，分析人員能夠追溯出導(dǎo)致失效的具體機理，例如電遷移效應(yīng)、熱載流子注入或工藝污染等。這樣的“定位—驗證—溯源”閉環(huán)過程，使PEM系統(tǒng)在半導(dǎo)體器件及集成電路的失效研究中展現(xiàn)了極高的實用價值，為工程師提供了可靠的分析手段。

半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)向更小尺寸、更高集成度方向邁進，這對檢測技術(shù)提出了更高要求。EMMI 順應(yīng)這一趨勢，不斷創(chuàng)新發(fā)展。一方面，研發(fā)團隊致力于進一步提升探測器靈敏度，使其能夠探測到更微弱、更罕見的光信號，以應(yīng)對未來半導(dǎo)體器件中可能出現(xiàn)的更細(xì)微缺陷；另一方面，通過優(yōu)化光學(xué)系統(tǒng)與信號處理算法，提高 EMMI 對復(fù)雜芯片結(jié)構(gòu)的穿透能力與檢測精度，確保在先進制程工藝下，依然能夠精細(xì)定位深埋于芯片內(nèi)部的故障點，為半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)突破保駕護航。微光顯微鏡適用于多種半導(dǎo)體材料與器件結(jié)構(gòu)，應(yīng)用之廣。

EMMI的本質(zhì)只是一臺光譜范圍廣，光子靈敏度高的顯微鏡。

但是為什么EMMI能夠應(yīng)用于IC的失效分析呢？

原因就在于集成電路在通電后會出現(xiàn)三種情況：

1.載流子復(fù)合；2.熱載流子；3.絕緣層漏電。

當(dāng)這三種情況發(fā)生時集成電路上就會產(chǎn)生微弱的熒光，這時EMMI就能捕獲這些微弱熒光，這就給了EMMI一個應(yīng)用的機會而在IC的失效分析中，我們給予失效點一個偏壓產(chǎn)生熒光，然后EMMI捕獲電流中產(chǎn)生的微弱熒光。原理上，不管IC是否存在缺陷，只要滿足其機理在EMMI下都能觀測到熒光。 微光顯微鏡可結(jié)合紅外探測，實現(xiàn)跨波段復(fù)合檢測。制冷微光顯微鏡新款

晶體管漏電點清晰呈現(xiàn)。檢測用微光顯微鏡工作原理

在利用顯微鏡發(fā)光技術(shù)對柵氧化層缺陷進行定位的失效分析中，薄氧化層的擊穿現(xiàn)象尤為關(guān)鍵。然而，當(dāng)多晶硅與阱區(qū)的摻雜類型一致時，擊穿過程未必伴隨空間電荷區(qū)的形成，這使其發(fā)光機制更具復(fù)雜性。具體而言，當(dāng)局部電流密度升高至一定閾值，會在失效區(qū)域形成明顯的電壓降，進而激發(fā)載流子在高場環(huán)境下發(fā)生散射發(fā)光，即產(chǎn)生光發(fā)射現(xiàn)象。這種發(fā)光通常位于顯微鏡檢測波段范圍內(nèi)，能夠被高靈敏度探測器捕捉。值得注意的是，部分發(fā)光點存在不穩(wěn)定性，可能在觀察過程中逐漸減弱甚至消失。這一現(xiàn)象的原因在于，局部電流密度持續(xù)升高可能導(dǎo)致?lián)舸﹨^(qū)域發(fā)生微熔化，使局部結(jié)構(gòu)損傷進一步擴大，形成更大面積的導(dǎo)電通道，電流密度因而下降，從而抑制了繼續(xù)發(fā)光的能力。檢測用微光顯微鏡工作原理