致晟光電在推進(jìn)產(chǎn)學(xué)研一體化進(jìn)程中，積極開展多層次校企合作。公司依托南京理工大學(xué)光電技術(shù)學(xué)院，專注于微弱光電信號(hào)分析相關(guān)產(chǎn)品及應(yīng)用的研發(fā)。雙方聯(lián)合攻克技術(shù)難題，不斷優(yōu)化實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相紅外熱分析系統(tǒng)（RTTLIT），使其溫度靈敏度達(dá)到0.0001℃，功率檢測(cè)限低至1μW，部分性能指標(biāo)在特定功能上已超過進(jìn)口設(shè)備。

除了與南京理工大學(xué)的緊密合作外，致晟光電還與多所高校建立了協(xié)作關(guān)系，搭建起學(xué)業(yè)與就業(yè)貫通的人才孵化平臺(tái)。平臺(tái)覆蓋研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)實(shí)踐、項(xiàng)目管理等全鏈條，為學(xué)生提供系統(tǒng)化的實(shí)踐鍛煉機(jī)會(huì)，培養(yǎng)出大量具備實(shí)際操作能力的專業(yè)人才，為企業(yè)創(chuàng)新發(fā)展注入源源動(dòng)力。同時(shí)，公司通過建立科研成果產(chǎn)業(yè)孵化綠色通道，使高校前沿科研成果能夠快速轉(zhuǎn)化為實(shí)際生產(chǎn)力，實(shí)現(xiàn)科研資源與企業(yè)市場(chǎng)轉(zhuǎn)化能力的有效結(jié)合，推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新邁上新臺(tái)階。 熱紅外顯微鏡成像儀可輸出多種圖像格式，方便與其他分析軟件對(duì)接，進(jìn)行后續(xù)數(shù)據(jù)深度處理。無損熱紅外顯微鏡圖像分析

熱紅外顯微鏡（ThermalEMMI）的另一大優(yōu)勢(shì)在于其非接觸式檢測(cè)能力，相較于傳統(tǒng)接觸式方法具有優(yōu)勢(shì)。傳統(tǒng)接觸式檢測(cè)通常需要使用探針直接接觸被測(cè)設(shè)備，這不僅可能因機(jī)械壓力導(dǎo)致芯片焊點(diǎn)形變或線路微損傷，還可能因靜電放電（ESD）對(duì)敏感半導(dǎo)體器件造成破壞，從而引入額外風(fēng)險(xiǎn)和測(cè)量誤差。對(duì)于精密電子元件和高精度設(shè)備而言，這種潛在損傷可能嚴(yán)重影響檢測(cè)結(jié)果的可靠性。

熱紅外顯微鏡通過捕捉設(shè)備在運(yùn)行過程中釋放的熱輻射信號(hào)，實(shí)現(xiàn)完全非侵入式的檢測(cè)。這不僅能夠在設(shè)備正常工作狀態(tài)下獲取實(shí)時(shí)熱分布數(shù)據(jù)，還有效避免了接觸帶來的干擾或損傷，提高了整個(gè)檢測(cè)流程的**性和穩(wěn)定性。工程師可以依靠這些高保真數(shù)據(jù)進(jìn)行精確故障診斷、性能評(píng)估以及早期異常識(shí)別，從而優(yōu)化研發(fā)與生產(chǎn)流程。非接觸式的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，使熱紅外顯微鏡成為半導(dǎo)體芯片、微電子系統(tǒng)及精密印制電路板等電子組件檢測(cè)的理想選擇，為現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)提供了更**、高效和可靠的分析手段。 無損熱紅外顯微鏡圖像分析熱紅外顯微鏡應(yīng)用：在電子行業(yè)用于芯片熱失效分析，準(zhǔn)確定位芯片局部過熱區(qū)域，排查電路故障。

在半導(dǎo)體IC裸芯片的研發(fā)與檢測(cè)過程中，熱紅外顯微鏡是一種不可或缺的分析工具。裸芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)高度緊湊、集成度極高，即便出現(xiàn)微小的熱異常，也可能對(duì)性能產(chǎn)生不良影響，甚至引發(fā)失效。因此，建立精確可靠的熱檢測(cè)手段顯得尤為重要。熱紅外顯微鏡能夠以非接觸方式實(shí)現(xiàn)芯片熱分布的成像與分析，直觀展示芯片在運(yùn)行狀態(tài)下的溫度變化。通過識(shí)別局部熱點(diǎn)，工程師可以發(fā)現(xiàn)潛在問題，這些問題可能來源于電路設(shè)計(jì)缺陷、局部電流過大或器件老化等因素，從而在早期階段采取調(diào)整設(shè)計(jì)或改進(jìn)工藝的措施。

RTTLITP20熱紅外顯微鏡通過多元化的光學(xué)物鏡配置，構(gòu)建起從宏觀到納米級(jí)的全尺度熱分析能力，靈活適配多樣化的檢測(cè)需求。Micro廣角鏡頭可快速覆蓋整塊電路板、大型模組等大尺寸樣品，直觀呈現(xiàn)整體熱分布與散熱趨勢(shì)，助力高效完成初步篩查；0.13～0.3X變焦鏡頭支持連續(xù)倍率調(diào)節(jié)，適用于芯片封裝體、傳感器陣列等中尺度器件，兼顧整體熱場(chǎng)和局部細(xì)節(jié)；0.65X～0.75X變焦鏡頭進(jìn)一步提升分辨率，清晰解析芯片內(nèi)部功能單元的熱交互過程，精細(xì)定位封裝中的散熱瓶頸；3X～4X變焦鏡頭可深入微米級(jí)結(jié)構(gòu)，解析晶體管陣列、引線鍵合點(diǎn)等細(xì)節(jié)部位的熱行為；8X～13X變焦鏡頭則聚焦納米尺度，捕捉短路點(diǎn)、漏電流區(qū)域等極其微弱的熱信號(hào)，滿足先進(jìn)制程下的高精度失效定位需求。熱紅外顯微鏡搭配分析軟件，能對(duì)采集的熱數(shù)據(jù)進(jìn)行定量分析，生成詳細(xì)的溫度分布報(bào)告。

熱紅外顯微鏡在半導(dǎo)體IC裸芯片的熱檢測(cè)中具有不可替代的作用。裸芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)高度精密、集成度極高，即便是微小的熱異常，也可能影響性能甚至引發(fā)失效，因此精確的熱檢測(cè)至關(guān)重要。

依托非接觸式成像原理，熱紅外顯微鏡能夠清晰呈現(xiàn)芯片工作過程中的熱分布與溫度變化，快速定位熱點(diǎn)區(qū)域。這些熱點(diǎn)往往源于電路設(shè)計(jì)缺陷、局部電流過大或器件老化等問題。通過對(duì)熱點(diǎn)檢測(cè)與分析，工程師能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)潛在故障風(fēng)險(xiǎn)，為優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)和改進(jìn)制造工藝提供有力依據(jù)。

此外，熱紅外顯微鏡還能精確測(cè)量裸芯片內(nèi)部關(guān)鍵半導(dǎo)體結(jié)點(diǎn)的溫度（結(jié)溫）。結(jié)溫是評(píng)估芯片性能與可靠性的重要指標(biāo)，過高的結(jié)溫不僅會(huì)縮短器件壽命，還可能影響其長(zhǎng)期穩(wěn)定性。憑借高空間分辨率的成像能力，該技術(shù)能夠?yàn)檠邪l(fā)人員提供詳盡的熱特性數(shù)據(jù)，幫助制定高效的散熱方案，從而提升芯片的整體性能與可靠性。 制冷型 vs 非制冷型可根據(jù)成本 /靈敏度 /散熱條件選擇。半導(dǎo)體熱紅外顯微鏡方案設(shè)計(jì)

針對(duì)消費(fèi)電子芯片，Thermal EMMI 助力排查因封裝散熱不良導(dǎo)致的局部熱失效問題。無損熱紅外顯微鏡圖像分析

作為國(guó)內(nèi)少數(shù)掌握 Thermal EMMI 技術(shù)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的企業(yè)之一，致晟光電在設(shè)備國(guó)產(chǎn)化和產(chǎn)業(yè)落地方面取得了雙重突破。設(shè)備在光路設(shè)計(jì)、探測(cè)器匹配、樣品平臺(tái)穩(wěn)定性等關(guān)鍵環(huán)節(jié)均采用自主方案，確保整機(jī)性能穩(wěn)定且易于維護(hù)。更重要的是，致晟光電深度參與國(guó)內(nèi)封測(cè)廠、晶圓廠及科研機(jī)構(gòu)的失效分析項(xiàng)目，將 Thermal EMMI 不僅用于研發(fā)驗(yàn)證，還延伸至生產(chǎn)線質(zhì)量監(jiān)控和來料檢測(cè)。這種從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)線的轉(zhuǎn)變，意味著 Thermal EMMI 不再只是少數(shù)工程師的“顯微鏡”，而是成為支撐國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)質(zhì)量提升的重要裝備。通過持續(xù)優(yōu)化算法、提升檢測(cè)效率，致晟光電正推動(dòng) Thermal EMMI 技術(shù)在國(guó)內(nèi)形成成熟的應(yīng)用生態(tài)，為本土芯片制造保駕護(hù)航。無損熱紅外顯微鏡圖像分析