大功率芯片在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量的熱量，因此對(duì)焊接質(zhì)量有著極高的要求。焊接過(guò)程中一旦出現(xiàn)虛焊、空洞、裂紋等缺陷，會(huì)導(dǎo)致芯片的散熱性能下降，進(jìn)而影響芯片的工作穩(wěn)定性和使用壽命，甚至可能引發(fā)**事故。此外，大功率芯片的尺寸通常較大，材料種類(lèi)多樣，包括硅、碳化硅、氮化鎵等，不同材料的物理和化學(xué)性質(zhì)差異較大，對(duì)焊接工藝的要求也各不相同，這給焊接設(shè)備帶來(lái)了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的焊接設(shè)備往往只能適應(yīng)特定類(lèi)型或規(guī)格的大功率芯片焊接，難以滿(mǎn)足多樣化的需求。而翰美真空回流焊接中心通過(guò)先進(jìn)的技術(shù)創(chuàng)新，成功攻克了這些難題，能夠應(yīng)對(duì)各種復(fù)雜的大功率芯片焊接場(chǎng)景。光伏逆變器功率模塊焊接工藝優(yōu)化。無(wú)錫翰美真空回流焊接爐性?xún)r(jià)比

隨著芯片的國(guó)產(chǎn)化，大功率器件功能呈多樣化發(fā)展，各個(gè)廠家所生產(chǎn)的芯片種類(lèi)越來(lái)越繁雜，焊接的工藝要求各種各樣，而目前所有的在線(xiàn)式真空回流焊接爐只能單一遵循（預(yù)熱-焊接-冷卻）或（預(yù)熱-恒溫-焊接-冷卻）其中一種工藝流程，而對(duì)于其它非常規(guī)的焊接工藝流程及溫區(qū)設(shè)定的產(chǎn)品，目前所有的真空回流焊接爐均完全無(wú)法滿(mǎn)足其生產(chǎn)需求。當(dāng)前在線(xiàn)式真空回流焊接爐，亟需一種可靈活設(shè)定工藝，可適應(yīng)多樣化產(chǎn)品的焊接爐替代方案，進(jìn)一步推動(dòng)大功率芯片焊接的自動(dòng)化轉(zhuǎn)移。無(wú)錫翰美真空回流焊接爐性?xún)r(jià)比消費(fèi)電子防水結(jié)構(gòu)件焊接解決方案。

靈活性體現(xiàn)在多個(gè)方面。首先，在設(shè)備的裝夾方式上，翰美真空回流焊接中心采用了模塊化的設(shè)計(jì)理念，配備了多種不同規(guī)格和類(lèi)型的夾具，能夠適應(yīng)不同尺寸、不同形狀的大功率芯片。無(wú)論是圓形、方形還是異形的芯片，都能找到與之匹配的夾具，確保芯片在焊接過(guò)程中定位精細(xì)、穩(wěn)固可靠。其次，在工藝參數(shù)的調(diào)整上，設(shè)備配備了先進(jìn)的人機(jī)交互界面，操作人員可以通過(guò)觸摸屏直觀地輸入和修改各項(xiàng)參數(shù)，并且能夠?qū)崟r(shí)預(yù)覽參數(shù)設(shè)置對(duì)焊接過(guò)程的影響。同時(shí)，設(shè)備還內(nèi)置了多種常見(jiàn)的焊接工藝模板，操作人員可以在模板的基礎(chǔ)上進(jìn)行微調(diào)，縮短了參數(shù)設(shè)置的時(shí)間，提高了工作效率。例如，在某半導(dǎo)體企業(yè)的研發(fā)部門(mén)，科研人員需要對(duì)多種不同類(lèi)型的大功率芯片進(jìn)行焊接測(cè)試，以確定好的的封裝方案。使用翰美真空回流焊接中心，他們可以在短時(shí)間內(nèi)完成不同芯片的裝夾和參數(shù)設(shè)置，快速開(kāi)展焊接實(shí)驗(yàn)。每完成一種芯片的測(cè)試，只需更換夾具并調(diào)用相應(yīng)的工藝模板，即可開(kāi)始下一種芯片的焊接，整個(gè)過(guò)程流暢高效，極大地加速了研發(fā)進(jìn)程

根據(jù)世界集成電路協(xié)會(huì)（WICA）數(shù)據(jù)，2024年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模達(dá)700.9億美元，其中封裝材料市場(chǎng)增速高于制造材料，預(yù)計(jì)2025年將突破759.8億美元。這一增長(zhǎng)主要由先進(jìn)封裝技術(shù)驅(qū)動(dòng)，其市場(chǎng)份額在2025年預(yù)計(jì)占整體封裝市場(chǎng)的近50%。YoleDéveloppement數(shù)據(jù)顯示，2023年全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)439億美元，并以8.72%的復(fù)合年增長(zhǎng)率向2028年的667億美元邁進(jìn)。技術(shù)演進(jìn)呈現(xiàn)兩大特征：一是從二維向三維集成跨越，2.5D/3D封裝通過(guò)硅通孔（TSV）和中介層實(shí)現(xiàn)芯片垂直堆疊，典型應(yīng)用包括GPU與HBM內(nèi)存的集成；二是系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的普及，通過(guò)將不同功能芯片整合至單一封裝體，滿(mǎn)足可穿戴設(shè)備對(duì)多功能、小體積的需求。晶圓級(jí)封裝（WLP）技術(shù)則通過(guò)在晶圓階段完成封裝，使芯片尺寸接近裸片，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子領(lǐng)域。真空殘留自動(dòng)清潔系統(tǒng)延長(zhǎng)設(shè)備維護(hù)周期。

翰美工藝無(wú)縫切換功能為半導(dǎo)體批量化生產(chǎn)帶來(lái)了優(yōu)勢(shì)。首先，大幅縮短了工藝切換時(shí)間。傳統(tǒng)設(shè)備需要數(shù)小時(shí)甚至數(shù)天才能完成的工藝切換，翰美真空回流焊接中心只需幾分鐘即可完成，極大地減少了生產(chǎn)中斷時(shí)間，提高了設(shè)備的有效利用率。其次，保證了焊接質(zhì)量的穩(wěn)定性。由于工藝切換過(guò)程中所有參數(shù)都由系統(tǒng)自動(dòng)調(diào)整和優(yōu)化，避免了人工操作帶來(lái)的誤差，確保了不同工藝之間的焊接質(zhì)量一致性。無(wú)論是切換前還是切換后，產(chǎn)品的焊接質(zhì)量都能得到可靠保障，降低了產(chǎn)品的不良率。以及，提升了企業(yè)的生產(chǎn)靈活性和市場(chǎng)響應(yīng)能力。企業(yè)能夠根據(jù)市場(chǎng)需求的變化，快速調(diào)整生產(chǎn)計(jì)劃，在同一生產(chǎn)線(xiàn)上靈活切換不同的焊接工藝，生產(chǎn)多種不同類(lèi)型的產(chǎn)品，從而更好地適應(yīng)市場(chǎng)的多元化需求，提高企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。真空氣體發(fā)生裝置壽命預(yù)測(cè)功能。無(wú)錫翰美真空回流焊接爐性?xún)r(jià)比

適配BGA/CSP等高密度封裝形式，降低焊點(diǎn)空洞率。無(wú)錫翰美真空回流焊接爐性?xún)r(jià)比

翰美真空回流焊接中心內(nèi)置了多種先進(jìn)的焊接工藝，能夠滿(mǎn)足不同材料、不同結(jié)構(gòu)的大功率芯片焊接需求。無(wú)論是傳統(tǒng)的錫鉛焊接，還是無(wú)鉛焊接、金錫焊接、銀漿焊接等特殊焊接工藝，該設(shè)備都能精細(xì)實(shí)現(xiàn)。對(duì)于硅基大功率芯片，其焊接通常采用錫基焊料，要求焊接溫度控制精細(xì)，以避免芯片因高溫而受損。翰美真空回流焊接中心的溫度控制系統(tǒng)能夠精確控制焊接溫度曲線(xiàn)，確保焊料在比較好溫度下熔化、潤(rùn)濕和凝固，形成高質(zhì)量的焊接接頭。對(duì)于碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料制成的大功率芯片，由于其具有較高的熔點(diǎn)和硬度，需要采用更高溫度的焊接工藝，如銀漿焊接。該設(shè)備能夠提供穩(wěn)定的高溫環(huán)境，并配合適當(dāng)?shù)膲毫驼婵斩?，確保銀漿充分燒結(jié)，形成牢固的焊接連接，同時(shí)有效抑制氣泡的產(chǎn)生，提高焊接的致密度。此外，針對(duì)一些具有特殊結(jié)構(gòu)的大功率芯片，如疊層芯片、多芯片模塊等，翰美真空回流焊接中心還支持選擇性焊接工藝，能夠精確控制焊接區(qū)域，避免對(duì)芯片其他部分造成影響，保證焊接質(zhì)量。無(wú)錫翰美真空回流焊接爐性?xún)r(jià)比