性能飛躍一：<450ms極速牽引，1秒實(shí)鎖重捕信號(hào)短暫中斷后的重新定位速度，是衡量芯片性能的關(guān)鍵指標(biāo)。傳統(tǒng)芯片可能需要數(shù)秒甚至更長(zhǎng)時(shí)間，而這在高速場(chǎng)景下是致命的。知碼芯北斗芯片實(shí)現(xiàn)了里程碑式的突破：冷啟動(dòng)牽引時(shí)間小于450毫秒：從無(wú)到有，極速獲取定位信息。信號(hào)重捕定位只需1秒：在隧道、高樓等環(huán)境導(dǎo)致信號(hào)丟失后，芯片能在1秒內(nèi)完成“實(shí)鎖重捕”，迅速恢復(fù)高精度定位。這意味著您的設(shè)備幾乎感覺(jué)不到信號(hào)的中斷，始終在線，持續(xù)為您提供可靠的位置服務(wù)。知碼芯北斗芯片借助自有設(shè)計(jì)能力，采用Chiplet（芯粒）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)射頻模塊的超大規(guī)模集成。江蘇高集成度北斗芯片

作為一款采用單芯片GNSSSoC架構(gòu)的明星產(chǎn)品，知碼芯北斗芯片天生自帶強(qiáng)大基因。它打破了單一衛(wèi)星系統(tǒng)的限制，可兼容BDS、GPS、Galileo、GLONASS、QZSS、SBAS六大衛(wèi)星信號(hào)系統(tǒng)，無(wú)論身處城市峽谷、偏遠(yuǎn)山區(qū)還是海洋空域，都能精細(xì)捕捉信號(hào)，實(shí)現(xiàn)全場(chǎng)景無(wú)死角定位。這種多系統(tǒng)融合能力，讓設(shè)備在復(fù)雜環(huán)境下也能保持穩(wěn)定性能，為各類(lèi)智能終端提供可靠的定位支撐。在封裝與集成度上，本款北斗芯片更是展現(xiàn)了強(qiáng)大的創(chuàng)新實(shí)力。采用先進(jìn)的單芯片封裝工藝，將主要功能濃縮于7mmx7mm的LGA-28封裝之中，小巧體積卻蘊(yùn)藏巨大能量。芯片內(nèi)部高度集成了GPS/北斗射頻與基頻模塊、0.5ppm高精度溫度補(bǔ)償震蕩器、穩(wěn)壓器及各類(lèi)無(wú)源器件，實(shí)現(xiàn)了“一站式”解決方案。無(wú)需復(fù)雜的外圍電路設(shè)計(jì)，只需搭配天線和電源即可快速啟動(dòng)工作，大幅降低了終端產(chǎn)品的研發(fā)成本與生產(chǎn)周期。江蘇高集成度北斗芯片這款北斗芯片定位速度更快，刷新率高達(dá)25Hz，解決了高動(dòng)態(tài)場(chǎng)景下定位 問(wèn)題。

高動(dòng)態(tài)場(chǎng)景的設(shè)備多向小型化發(fā)展（如微型無(wú)人機(jī)、穿戴式定位器），傳統(tǒng)芯片體積大（多為 8X8mm 以上），PCB 占用面積大，難以適配。知碼芯北斗芯片采用 5X5mm 標(biāo)準(zhǔn) QFN 封裝，大幅優(yōu)化集成性。封裝面積較舊版減少 ，PCB 板占用空間更小，可輕松嵌入微型設(shè)備（如直徑 2cm 的無(wú)人機(jī)定位模塊、厚度 5mm 的智能手環(huán)）；標(biāo)準(zhǔn) QFN 封裝支持自動(dòng)化焊接，且預(yù)留屏蔽罩安裝位，加裝屏蔽罩后抗電磁干擾能力提升，適配工業(yè)級(jí)高動(dòng)態(tài)場(chǎng)景（如工廠車(chē)間的 AGV 機(jī)器人，電磁環(huán)境復(fù)雜），確保定位不受干擾。

從消費(fèi)級(jí)到工業(yè)級(jí)，高動(dòng)態(tài)定位 “全適配”憑借七大升級(jí)，知碼芯北斗芯片可在多個(gè)高動(dòng)態(tài)應(yīng)用場(chǎng)景展現(xiàn)出強(qiáng)勁優(yōu)勢(shì)，成為推動(dòng)各行業(yè)精確定位升級(jí)的主要?jiǎng)恿Α＠缰窃谧詣?dòng)駕駛車(chē)輛、**等高速場(chǎng)景中，芯片需應(yīng)對(duì)時(shí)速 300km/h 的高動(dòng)態(tài)運(yùn)動(dòng)與復(fù)雜路況，本芯片可輕松應(yīng)對(duì)。工業(yè)級(jí)無(wú)人機(jī)（如電力巡檢、快遞配送）需在高動(dòng)態(tài)飛行中快速定位、頻繁啟停，知碼芯北斗芯片可快速響應(yīng)，不誤工。野外勘探、應(yīng)急救援等場(chǎng)景，設(shè)備常面臨弱信號(hào)、頻繁開(kāi)關(guān)機(jī)、小型化需求。本芯片能保障在極端環(huán)境 “不掉線”。智能手機(jī)、智能手表等消費(fèi)設(shè)備，此芯片也能發(fā)揮定位速度、續(xù)航與體積小的優(yōu)勢(shì)。

知碼芯北斗芯片，低功耗高性能之選。

知碼芯北斗芯片采用了28nmCMOS工藝。在此工藝中，High-K材料和GateLast處理技術(shù)的應(yīng)用，更是為降低功耗立下了汗馬功勞。High-K材料，即高介電常數(shù)材料，其介電常數(shù)比傳統(tǒng)的二氧化硅（SiO2）高數(shù)倍甚至十幾倍。當(dāng)芯片采用High-K材料作為柵介質(zhì)層時(shí)，就好比給電路中的“蓄水池”（電容）換上了更加厚實(shí)的內(nèi)壁，不容易“滲漏”。這樣一來(lái)，在相同的電容值下，能夠有效減少柵極漏電流，降低芯片的靜態(tài)功耗。同時(shí)，由于電容充放電效率更高，芯片數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速度也得到提升，這在一定程度上也有助于降低動(dòng)態(tài)功耗。而GateLast處理技術(shù)，則是在源漏區(qū)離子注入和高溫退火步驟完成之后，再進(jìn)行柵極的制作。這種工藝順序可以避免金屬柵經(jīng)歷源漏退火高溫，從而保護(hù)金屬柵的功函數(shù)和HK層的質(zhì)量，進(jìn)一步降低了芯片的功耗。同時(shí)，它還有助于控制短通道效應(yīng)，使得晶體管在尺寸縮小的情況下，依然能夠保持良好的性能。 知碼芯北斗芯片升級(jí)的4模聯(lián)合定位（北斗+GPS+GLONASS+Galileo），服務(wù)全球客戶。

秒級(jí)冷啟動(dòng)：達(dá)到了3-5 秒，緊急場(chǎng)景 “不延遲”。

冷啟動(dòng)速度是高動(dòng)態(tài)緊急場(chǎng)景的關(guān)鍵指標(biāo)（如應(yīng)急救援無(wú)人機(jī)起飛后需立即定位），新版知碼芯北斗芯片優(yōu)化信號(hào)捕獲算法，冷啟動(dòng)速度大幅提升。在星況良好的開(kāi)闊環(huán)境下，冷啟動(dòng)定位時(shí)間縮短至 20 秒以內(nèi)，理想狀態(tài)下只需 3-5 秒，較舊版提升 80% 以上，設(shè)備開(kāi)機(jī)即可快速進(jìn)入定位狀態(tài)，無(wú)需 “等待開(kāi)機(jī)”；即使在弱信號(hào)環(huán)境（如城市高樓間），冷啟動(dòng)也能在 30 秒內(nèi)完成定位，通過(guò)多星座頻點(diǎn)協(xié)同捕獲，避免傳統(tǒng)芯片 “搜星難、啟動(dòng)慢” 的問(wèn)題，適配高動(dòng)態(tài)場(chǎng)景的即時(shí)性需求。

RAM 轉(zhuǎn) FLASH 功能：無(wú)需單獨(dú)提星歷，操作 “更便捷”。傳統(tǒng)芯片需單獨(dú)提取衛(wèi)星星歷數(shù)據(jù)（需連接服務(wù)器或手動(dòng)導(dǎo)入），高動(dòng)態(tài)場(chǎng)景下（如野外勘探設(shè)備移動(dòng)中），星歷獲取難、更新慢，影響定位效率。知碼芯北斗芯片新增 RAM 轉(zhuǎn) FLASH 功能，簡(jiǎn)化操作流程：芯片可自動(dòng)將接收到的衛(wèi)星星歷數(shù)據(jù)從 RAM（隨機(jī)存儲(chǔ)器）寫(xiě)入 FLASH（閃存），無(wú)需外部設(shè)備單獨(dú)提取或更新星歷，設(shè)備斷電后星歷數(shù)據(jù)仍能保存；下次開(kāi)機(jī)時(shí)，芯片直接從 FLASH 讀取星歷，跳過(guò)星歷下載環(huán)節(jié)，啟動(dòng)速度再提速 30%，尤其適合野外高動(dòng)態(tài)作業(yè)（如地質(zhì)勘探車(chē)、森林防火巡邏車(chē)），無(wú)需依賴網(wǎng)絡(luò)，即可快速定位。 從信號(hào)捕獲到集成，知碼芯北斗芯片極大強(qiáng)化了高動(dòng)態(tài)性能。浙江高靈敏度北斗芯片

這款北斗芯片兼容性強(qiáng)，客戶可根據(jù)需求方便地對(duì)芯片進(jìn)行再配置。江蘇高集成度北斗芯片

本北斗芯片為了實(shí)現(xiàn)低功耗高速計(jì)算的采用28nmCMOS工藝。?28nmCMOS工藝的特點(diǎn)主要包括高性能、低功耗和成本效益?。通過(guò)使用28nm工藝，芯片能夠在更小的面積內(nèi)集成更多的功能單元，從而提供更高的處理速度和更好的功能性。由于晶體管間的距離縮短，電子在晶體管之間移動(dòng)的距離也相應(yīng)減少，進(jìn)一步提高了運(yùn)算速度?。此外，28nm工藝通過(guò)減小晶體管尺寸，有效減少了每次運(yùn)算所需的能量，不僅提高了芯片的能效，還大幅延長(zhǎng)了設(shè)備的電池使用時(shí)間?。在具體技術(shù)細(xì)節(jié)方面，28nm工藝引入了High-K材料和GateLast處理技術(shù)，這些技術(shù)改進(jìn)有助于控制芯片的發(fā)熱和功耗。High-K材料提升了柵氧層的電子容納能力，有效降低了體系的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)功耗，使得芯片在高性能計(jì)算和移動(dòng)設(shè)備中表現(xiàn)出色。此外，28nm工藝還引入了TSMC的28nmHKMG（高介電金屬柵極）工藝，進(jìn)一步減小了節(jié)點(diǎn)尺寸和亞閥電壓，提升了芯片的可制造性并控制了發(fā)熱和功耗?。?應(yīng)用領(lǐng)域?方面，28nmCMOS工藝廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦、個(gè)人電腦、服務(wù)器以及各類(lèi)嵌入式系統(tǒng)等電子產(chǎn)品中。特別是在對(duì)性能要求較高且對(duì)功耗有一定限制的領(lǐng)域，如移動(dòng)設(shè)備和高性能計(jì)算領(lǐng)域，28nmCMOS工藝發(fā)揮著重要作用?。江蘇高集成度北斗芯片

蘇州知碼芯信息科技有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景、信譽(yù)可靠、勵(lì)精圖治、展望未來(lái)、有夢(mèng)想有目標(biāo)，有組織有體系的公司，堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來(lái)的道路上大放光明，攜手共畫(huà)藍(lán)圖，在江蘇省等地區(qū)的電子元器件行業(yè)中積累了大批忠誠(chéng)的客戶粉絲源，也收獲了良好的用戶**，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ)，也希望未來(lái)公司能成為行業(yè)的翹楚，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息，斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將引領(lǐng)蘇州知碼芯信息科技供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌，共創(chuàng)佳績(jī)，一直以來(lái)，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠(chéng)實(shí)守信的方針，員工精誠(chéng)努力，協(xié)同奮取，以品質(zhì)、服務(wù)來(lái)贏得市場(chǎng)，我們一直在路上！