隨著電子設(shè)備的小型化、集成度提高，對(duì)材料的絕緣性能要求也日益嚴(yán)格。廣州維柯信息技術(shù)有限公司走在科技前沿，通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新，推出了SIR表面絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)，為材料科學(xué)和電氣工程領(lǐng)域帶來(lái)了一場(chǎng)技術(shù)分享。該系統(tǒng)采用了準(zhǔn)確的傳感器技術(shù)和數(shù)據(jù)分析算法，能夠深入分析材料表面絕緣性能的細(xì)微變化，為科研工作者提供了寶貴的數(shù)據(jù)支持，促進(jìn)了新材料的研發(fā)和應(yīng)用。同時(shí)，廣州維柯還注重用戶體驗(yàn)，系統(tǒng)設(shè)計(jì)兼顧了易用性和精確性，即便是復(fù)雜測(cè)試也能輕松完成，有效縮短了產(chǎn)品從研發(fā)到市場(chǎng)的周期維柯產(chǎn)品： 提供高達(dá)5KV的 測(cè)試電壓。 國(guó)外同行： 測(cè)試電壓以低電 壓為主 ， 高電壓不到3KV。廣州SIR和CAF電阻測(cè)試服務(wù)

    環(huán)境或自身產(chǎn)生的高溫對(duì)多數(shù)元器件將產(chǎn)生嚴(yán)重影響，進(jìn)而引起整個(gè)電子設(shè)備的故障。一方面，電子元件的“10度法則”指出，電子元件的故障發(fā)生率隨工作溫度的提高呈指數(shù)增長(zhǎng)，溫度每升高10℃，失效率增加一倍；這個(gè)法則本質(zhì)上來(lái)源于反應(yīng)動(dòng)力學(xué)上的阿倫尼烏斯方程和范特霍夫規(guī)則估計(jì)。另一方面，熱失效是電子設(shè)備失效的**主要原因，電子設(shè)備失效有55%是因?yàn)闇囟冗^高引起。對(duì)于高頻高速PCB基板而言，一方面，基板是承載電阻、電容、芯片等產(chǎn)生熱量的元件的主要工具。另一方面，高頻高速電信號(hào)在導(dǎo)線和介質(zhì)傳輸時(shí)基板自身會(huì)產(chǎn)生熱量（如高頻信號(hào)損耗）。若上述熱量無(wú)法及時(shí)導(dǎo)出，會(huì)導(dǎo)致局部升溫，影響信號(hào)完整性，甚至引發(fā)分層或焊點(diǎn)失效。而高熱導(dǎo)率基材比起傳統(tǒng)基板可以快速散熱，維持電氣參數(shù)穩(wěn)定，因此導(dǎo)熱率的評(píng)估對(duì)高頻高速基板非常重要。例如，對(duì)于5G毫米波相控陣封裝天線，將高低頻混壓基板與高集成芯片結(jié)合，用于20GHz~40GHz頻段是目前低成本**優(yōu)解決方案，能夠有效地解決輻射、互聯(lián)、散熱和供電等需求。如圖2所示，IBM和高通的5G毫米波封裝天線解決方案采用高集成芯片和標(biāo)準(zhǔn)化印制板工藝。（引自：[孫磊.毫米波相控陣封裝天線技術(shù)綜述[J].現(xiàn)代雷達(dá),2020,42(09):.）。 廣州pcb板電阻測(cè)試咨詢靜電場(chǎng)力：驅(qū)使正電荷（金屬原子）沿電場(chǎng)方向移動(dòng)。

    四線測(cè)試Four-Wire或4-WireTest，可以認(rèn)為是二線開路測(cè)試的延伸版本，聚焦于PCB板每個(gè)網(wǎng)絡(luò)Net開路Open的阻值?；径x與原理四線測(cè)試4-WireTest通過分離激勵(lì)電流與電壓測(cè)量路徑，徹底消除導(dǎo)線電阻和接觸電阻的影響，實(shí)現(xiàn)毫歐mΩ級(jí)高精度測(cè)量。四線測(cè)試4-WireTest的**是基于歐姆定律(R=V/I)，但通過**回路設(shè)計(jì)確保測(cè)量結(jié)果*反映被測(cè)物的真實(shí)電阻值。如下圖所示：通過測(cè)量被測(cè)元件R的阻值來(lái)判定對(duì)象R是否存在開路問題。R1和R2：連接被測(cè)元件或網(wǎng)絡(luò)的導(dǎo)線的電阻R3和R4：電壓表自帶的電阻，用來(lái)平衡導(dǎo)線的電阻R：被測(cè)元件V：電壓表A：電流表線法由來(lái)這種避免導(dǎo)線電阻引起誤差的測(cè)量方法被稱為開爾文法或四線法。特殊的連接夾稱為開爾文夾，是為了便于這種連接跨越受試者電阻：。

助焊劑會(huì)涂敷在下圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試板上。標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試板是交錯(cuò)梳狀設(shè)計(jì)，并模擬微電子學(xué)**小電氣間隙要求。然后按照助焊劑不同類型的要求進(jìn)行加熱。為了能通過測(cè)試，高活性的助焊劑在測(cè)試前需要被清洗掉。清洗不要在密閉的空間進(jìn)行。隨后帶有助焊劑殘留的樣板放置在潮濕的箱體內(nèi)，以促進(jìn)梳狀線路之間枝晶的生長(zhǎng)。分別測(cè)試實(shí)驗(yàn)開始和結(jié)束時(shí)的不同模塊線路的絕緣電阻值。第二次和***次測(cè)量值衰減低于10倍時(shí)，測(cè)試結(jié)果視為通過。也就是說，通常測(cè)試阻值為10XΩ，X值必須保持不變。這個(gè)方法概括了幾種不同的助焊劑和工藝測(cè)試條件。當(dāng)金屬纖維絲在線路板表面以下生長(zhǎng)時(shí)，稱為導(dǎo)電陽(yáng)極絲或CAF，本文中不會(huì)討論這種情況，但這也是一個(gè)熱門話題。當(dāng)電化學(xué)遷移發(fā)生在線路板的表面時(shí)，它會(huì)導(dǎo)致線路之間的金屬枝晶狀生長(zhǎng)，比較好使用表面絕緣電阻(SIR)進(jìn)行測(cè)試。早期檢測(cè)可減少批量生產(chǎn)后的召回風(fēng)險(xiǎn)， 例如某汽車電子廠商通過CAF測(cè)試優(yōu)化 基材選擇后 ，將故障率降低60%。

因此密封電阻與電路板間縫隙能夠抑制金屬離子的遷移過程。針對(duì)金屬離子的遷移過程，可以加入絡(luò)合劑，使其與金屬正離子形成帶負(fù)電荷的絡(luò)合物，帶負(fù)電的絡(luò)合物將不會(huì)往陰極方向遷移和在陰極處發(fā)生還原沉積，由此達(dá)到抑制金屬離子往陰極遷移的目的。同時(shí)，隨著外電場(chǎng)強(qiáng)度增大，會(huì)加快陽(yáng)極溶解、離子遷移和離子沉積過程。在實(shí)際生產(chǎn)中，要進(jìn)行適當(dāng)?shù)暮负笄逑?，避免與金屬離子電化學(xué)遷移相關(guān)的助焊劑成分、清洗工藝等引入的臟污和離子等有害物質(zhì)的殘留。通過改變焊料合金的組分來(lái)提升自身的耐腐蝕性，如合金化Cu、Cr等耐腐蝕性元素；或使陽(yáng)極表面形成一層致密的鈍化膜，從而降低電化學(xué)遷移過程中陽(yáng)極的溶解速率，但是可能會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)時(shí)回流焊參數(shù)變化等事項(xiàng)，需要對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行重新評(píng)估?？赡M汽車電子、航空航天等極端環(huán)境下的熱應(yīng)力場(chǎng)景。廣州離子遷移電阻測(cè)試

觀察線路間是否有瞬間短路或出現(xiàn)絕緣失效的緩慢漏電情形發(fā)生。廣州SIR和CAF電阻測(cè)試服務(wù)

廣州維柯信息技術(shù)有限公司的SIR表面絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)，集成了行業(yè)的測(cè)量技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了檢測(cè)精度與測(cè)試效率的雙重提升。該系統(tǒng)采用高靈敏度傳感器，每秒20ms/所有通道的速度即便是在低電阻范圍內(nèi)也能準(zhǔn)確讀取數(shù)據(jù)，誤差率極低，確保了測(cè)試結(jié)果的科學(xué)性和可靠性。同時(shí)，其內(nèi)置的算法能迅速處理大量數(shù)據(jù)，縮短測(cè)試周期，對(duì)于大規(guī)模生產(chǎn)線上追求快速反饋和質(zhì)量控制的企業(yè)來(lái)說，無(wú)疑是提升競(jìng)爭(zhēng)力的利器。廣州維柯SIR系統(tǒng)，以精度與速度，平齊行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。廣州SIR和CAF電阻測(cè)試服務(wù)