GT600SoC測試機(jī)在測試高可靠性產(chǎn)品（如車規(guī)芯片、工業(yè)級MCU、航天電子、**設(shè)備芯片）時(shí)，展現(xiàn)出精度、***性、穩(wěn)定性與可追溯性四大**優(yōu)勢，確保產(chǎn)品在極端環(huán)境下長期穩(wěn)定運(yùn)行。首先，高精度參數(shù)測量是可靠性的基石。GT600配備每通道PPMU（參數(shù)測量單元），可精確測量nA級靜態(tài)漏電流（Iddq），識別因制造缺陷導(dǎo)致的微小漏電或潛在短路。這種“亞健康”芯片在常溫下可能功能正常，但在高溫或長期使用后極易失效。GT600通過精密篩查，提前剔除隱患，大幅提升產(chǎn)品早期失效率（InfantMortality）的控制能力。其次，支持***的可靠性測試項(xiàng)目。GT600可配合溫控系統(tǒng)進(jìn)行高溫老化測試（Burn-in），在高溫高壓下運(yùn)行芯片數(shù)百小時(shí)，加速暴露早期缺陷。其浮動SMU電源板卡能模擬車載12V/24V或工業(yè)設(shè)備的復(fù)雜電源環(huán)境，驗(yàn)證芯片在電壓波動、負(fù)載突變下的穩(wěn)定性。對于通信類高可靠產(chǎn)品，高精度TMU（10ps分辨率）可檢測信號時(shí)序漂移，確保長期通信無誤碼。再次，高穩(wěn)定性與長周期測試能力。GT600硬件設(shè)計(jì)冗余，散熱優(yōu)良，支持7x24小時(shí)連續(xù)運(yùn)行，可執(zhí)行長達(dá)數(shù)周的耐久性測試，模擬產(chǎn)品十年生命周期。128M向量深度確保長周期測試程序不中斷，數(shù)據(jù)完整。***，數(shù)據(jù)可追溯性強(qiáng)。 我們的系統(tǒng)能有效評估絕緣材料在電場下的性能變化。杭州導(dǎo)電陽極絲測試系統(tǒng)現(xiàn)貨直發(fā)

杭州國磊GT600提供512個(gè)數(shù)字通道，并可擴(kuò)展至2048通道，配合16個(gè)通用插槽，構(gòu)建了高度靈活的硬件架構(gòu)。在測試一顆引腳數(shù)超500的手機(jī)SoC時(shí)，512通道可完全覆蓋其I/O需求，無需復(fù)用或分時(shí)測試，確保信號同步性。16個(gè)插槽支持自由組合數(shù)字板卡、模擬板卡（AWG/TMU）、電源板卡（DPS/SMU），實(shí)現(xiàn)“數(shù)字+模擬+混合信號”一體化測試。例如，測試智能座艙芯片時(shí)，部分插槽配置為高速數(shù)字通道測試CPU邏輯，另一部分接入AWG生成音頻信號測試DAC，再通過TMU測量顯示接口時(shí)序。這種模塊化設(shè)計(jì)讓GT600能像“變形金剛”一樣適配不同芯片需求，從低引腳MCU到高集成SoC，一機(jī)通測，大幅降低企業(yè)設(shè)備采購與維護(hù)成本。杭州國磊GEN測試系統(tǒng)供應(yīng)國磊GT600的128M向量存儲深度可記錄長時(shí)間功耗波形，用于分析AI推理、傳感器喚醒等突發(fā)任務(wù)的能耗曲線。

AISoC的NPU模塊不**需要功能驗(yàn)證，更需精確的參數(shù)測試與功耗評估。國磊GT600測試機(jī)配備每通道PPMU，可實(shí)現(xiàn)nA級靜態(tài)電流（IDDQ）測量，**識別AI芯片在待機(jī)、低功耗模式下的漏電異常。其可選配高精度浮動SMU板卡，支持多電源域**供電與電流監(jiān)測，用于驗(yàn)證DVFS（動態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)）和電源門控（PowerGating）策略的有效性。此外，國磊GT600測試機(jī)的GT-TMUHA04時(shí)間測量單元提供10ps分辨率，可精確測量NPU喚醒延遲、中斷響應(yīng)時(shí)間等關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，確保AI任務(wù)的實(shí)時(shí)性與響應(yīng)速度。

手機(jī)續(xù)航是用戶體驗(yàn)的生命線，而功耗控制的**在于SoC芯片的“健康度”與“效率”。國磊GT600憑借其每通道**PPMU（精密參數(shù)測量單元），可對芯片每個(gè)引腳進(jìn)行nA（納安）級靜態(tài)電流（Iddq）測量，相當(dāng)于為芯片做“微電流心電圖”，精細(xì)識別因制造缺陷導(dǎo)致的微小漏電——這些“**耗電大戶”在待機(jī)時(shí)也會悄悄吞噬電量。通過篩查剔除“高漏電”芯片，國磊GT600確保只有“省電體質(zhì)”的質(zhì)量芯片進(jìn)入量產(chǎn)。不僅如此，國磊GT600支持FVMI（強(qiáng)制電壓測電流）模式，可在不同電壓條件下模擬真實(shí)使用場景——如游戲高負(fù)載、多攝像頭同時(shí)工作、5G高速下載等——動態(tài)測量芯片功耗曲線，驗(yàn)證其電源管理單元是否能智能調(diào)節(jié)電壓頻率，實(shí)現(xiàn)性能與功耗的比較好平衡。同時(shí)，其FIMV（強(qiáng)制電流測電壓）模式還能檢測芯片在極限負(fù)載下的電壓跌落，防止因供電不穩(wěn)導(dǎo)致死機(jī)或重啟。通過靜態(tài)+動態(tài)、微觀+宏觀的功耗全景測試，國磊GT600可以為國產(chǎn)手機(jī)SoC筑起“續(xù)航防火墻”，讓每一毫安時(shí)電量都用在刀刃上。國磊GT600SoC測試機(jī)DPS板卡支持動態(tài)Force輸出，可用于HBM電源上電時(shí)序（PowerSequencing）驗(yàn)證。

支持復(fù)雜測試向量導(dǎo)入，加速算法驗(yàn)證閉環(huán) 智能駕駛芯片的**價(jià)值在于其內(nèi)置的AI推理引擎能否準(zhǔn)確執(zhí)行感知與決策算法。杭州國磊GT600支持從其他測試平臺導(dǎo)入測試程序與向量，并兼容STDF、CSV、Excel等多種數(shù)據(jù)格式，便于將仿真環(huán)境中的算法測試用例直接轉(zhuǎn)化為ATE（自動測試設(shè)備）可執(zhí)行的測試向量。例如，可在GT600上加載真實(shí)道路場景下的圖像識別或目標(biāo)檢測激勵序列，驗(yàn)證NPU在極限負(fù)載下的響應(yīng)正確性與時(shí)延表現(xiàn)，從而構(gòu)建“算法—芯片—測試”一體化驗(yàn)證閉環(huán)。國磊GT600為采用先進(jìn)工藝、集成多電源域、支持復(fù)雜低功耗策略的SoC提供了從研發(fā)驗(yàn)證到量產(chǎn)測試的全程支持。杭州導(dǎo)電陽極絲測試系統(tǒng)現(xiàn)貨直發(fā)

國磊GT600測試機(jī)可有效支持90nm、65nm、40nm、28nm、14nm、12nm、7nm等主流CMOS工藝節(jié)點(diǎn)的電源門控測試。杭州導(dǎo)電陽極絲測試系統(tǒng)現(xiàn)貨直發(fā)

Chiplet時(shí)代的“互聯(lián)驗(yàn)證者” Chiplet（芯粒）技術(shù)通過將大芯片拆分為小芯片再集成，突破摩爾定律瓶頸，成為先進(jìn)制程的重要方向。然而，小芯片間的高速互聯(lián)（如UCIe）對信號完整性、功耗、時(shí)序提出極高要求。杭州國磊GT600憑借400MHz測試速率與100ps邊沿精度，可精確測量Chiplet間接口的信號延遲與抖動。其高精度SMU可驗(yàn)證微凸塊（Micro-bump）的供電穩(wěn)定性，檢測微小電壓降。PPMU則用于測量封裝后各芯粒的**功耗，確保能效優(yōu)化。杭州國磊GT600的模塊化設(shè)計(jì)也便于擴(kuò)展，可針對不同芯粒配置**測試板卡。在Chiplet技術(shù)快速發(fā)展的***，杭州國磊GT600以高精度互聯(lián)驗(yàn)證能力，為國產(chǎn)先進(jìn)封裝芯片的可靠性與性能保駕護(hù)航。杭州導(dǎo)電陽極絲測試系統(tǒng)現(xiàn)貨直發(fā)