Ixys 艾賽斯 IGBT 模塊中的 XPT（極輕穿透型）技術(shù)獨(dú)具特色。該技術(shù)下的模塊具備出色的短路耐受能力，能夠在短路故障發(fā)生時(shí)，短時(shí)間內(nèi)承受大電流沖擊，例如部分模塊可承受 10μs 的短路電流。同時(shí)，XPT 技術(shù)使得 IGBT 模塊的柵極電荷非常低，這意味著在開(kāi)關(guān)過(guò)程中，所需的驅(qū)動(dòng)功率更小，能夠快速響應(yīng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)，實(shí)現(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)動(dòng)作，有效降低了開(kāi)關(guān)損耗。此外，XPT 技術(shù)結(jié)合薄晶圓工藝，還能實(shí)現(xiàn)較低的集電極 - 發(fā)射極飽和電壓，進(jìn)一步提升了模塊在導(dǎo)通狀態(tài)下的效率，為各類應(yīng)用提供了更高效、可靠的電力控制解決方案。

Ixys 艾賽斯 MOS 管主要分為 N 溝道與 P 溝道兩大基礎(chǔ)類型，二者基于載流子類型差異呈現(xiàn)互補(bǔ)特性。N 溝道 MOS 管以電子為主要載流子，導(dǎo)通電阻更低、開(kāi)關(guān)速度更快，電壓等級(jí)覆蓋 100V-10kV，電流可達(dá) 1000A，是大功率、高頻場(chǎng)景的主流選擇，廣泛應(yīng)用于工業(yè)逆變器、新能源汽車驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域；P 溝道 MOS 管以空穴為載流子，雖導(dǎo)通電阻略高，但在低壓小功率場(chǎng)景中無(wú)需負(fù)壓驅(qū)動(dòng)，電路設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)潔，電壓覆蓋 100V-600V，電流至 50A，適配便攜式設(shè)備電源、低壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。Ixys 通過(guò)精確的摻雜工藝與溝道優(yōu)化，確保兩類器件在各自領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)性能*大化。