IXYN80N90C3H1 是 Ixys 艾賽斯一款專為高頻應(yīng)用設(shè)計(jì)的 IGBT 模塊。它在 20 - 50kHz 的開(kāi)關(guān)頻率下表現(xiàn)***，特別適用于高頻電源逆變器、開(kāi)關(guān)電源模塊等領(lǐng)域。該模塊集成了反并聯(lián)肖特基二極管，極大地提升了其在高頻環(huán)境下的性能。在高頻工作時(shí)，其低開(kāi)關(guān)損耗特性明顯，能夠有效減少能量損耗，提高系統(tǒng)效率。同時(shí)，它具備強(qiáng)大的電流處理能力，*大持續(xù)電流可達(dá) 115A，確保在高負(fù)載情況下也能穩(wěn)定運(yùn)行。其方形的反向偏置**工作區(qū)域，進(jìn)一步保障了在復(fù)雜電路條件下操作的可靠性，為高頻電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供了優(yōu)*的解決方案。

電力系統(tǒng)中無(wú)功功率失衡會(huì)導(dǎo)致電壓波動(dòng)、功率因數(shù)降低，影響電網(wǎng)穩(wěn)定性與供電質(zhì)量，Ixys 艾賽斯可控硅模塊在靜止無(wú)功補(bǔ)償器（SVC）中實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)無(wú)功調(diào)節(jié)。SVC 通過(guò)可控硅模塊控制電抗器與電容器的投切，當(dāng)電網(wǎng)無(wú)功不足時(shí)，投入電容器提供容性無(wú)功；當(dāng)無(wú)功過(guò)剩時(shí)，投入電抗器吸收感性無(wú)功。模塊的快速觸發(fā)與關(guān)斷特性（響應(yīng)時(shí)間＜10ms）確保了無(wú)功補(bǔ)償?shù)膶?shí)時(shí)性，可跟隨電網(wǎng)負(fù)荷變化動(dòng)態(tài)調(diào)整無(wú)功輸出，使功率因數(shù)維持在 0.95 以上。在鋼鐵廠、變電站、新能源電站等場(chǎng)景，該模塊提升了電網(wǎng)穩(wěn)定性，降低了輸電損耗與電費(fèi)成本。