盡管“杭州六小龍”（游戲科學(xué)、深度求索、宇樹(shù)科技等）以應(yīng)用層創(chuàng)新聞名，但其產(chǎn)品**均依賴(lài)高性能、低功耗的定制化SoC。若這些企業(yè)未來(lái)走向自研芯片（如深度求索布局AI推理加速卡、強(qiáng)腦科技開(kāi)發(fā)神經(jīng)信號(hào)處理芯片），GT600將成為其不可或缺的驗(yàn)證伙伴。即便當(dāng)前由第三方代工，其合作芯片廠(chǎng)也可能采用GT600進(jìn)行量產(chǎn)測(cè)試。更重要的是，二者同處杭州科創(chuàng)生態(tài)，共享人才、政策與供應(yīng)鏈資源。GT600雖未出現(xiàn)在烏鎮(zhèn)峰會(huì)聚光燈下，卻是支撐“六小龍”硬科技底座的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施，構(gòu)成“應(yīng)用—算法—芯片—測(cè)試”的完整本地閉環(huán)。國(guó)磊GT600高密度集成設(shè)計(jì)降低系統(tǒng)體積，適配探針臺(tái)有限空間下的模擬晶圓測(cè)試（CP）應(yīng)用。杭州國(guó)磊GEN3測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)

杭州國(guó)磊GT600提供高達(dá)128M的向量存儲(chǔ)深度，相當(dāng)于可存儲(chǔ)1.28億個(gè)測(cè)試步驟，這是保障復(fù)雜芯片測(cè)試完整性的關(guān)鍵。現(xiàn)代SoC的測(cè)試程序極為龐大，如AI芯片運(yùn)行ResNet-50模型推理、手機(jī)SoC執(zhí)行多任務(wù)調(diào)度、通信芯片處理完整5G協(xié)議棧，這些測(cè)試序列動(dòng)輒數(shù)百萬(wàn)甚至上千萬(wàn)向量。若向量深度不足，測(cè)試機(jī)需頻繁從硬盤(pán)加載數(shù)據(jù)，導(dǎo)致測(cè)試中斷、效率驟降。杭州國(guó)磊GT600的128M深度可將整個(gè)測(cè)試程序一次性載入內(nèi)存，實(shí)現(xiàn)“全速連續(xù)運(yùn)行”，避免性能瓶頸。在工程調(diào)試階段，長(zhǎng)向量也便于復(fù)現(xiàn)偶發(fā)性失效。對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定性測(cè)試的車(chē)規(guī)芯片，128M空間可容納老化測(cè)試的完整循環(huán)序列。這一參數(shù)確保杭州國(guó)磊GT600能應(yīng)對(duì)未來(lái)更復(fù)雜的芯片驗(yàn)證需求。杭州PCB測(cè)試系統(tǒng)工藝國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)高精度浮動(dòng)SMU板卡可實(shí)現(xiàn)HBM接口電源域的電壓裕量（VoltageMargining）與功耗測(cè)試。

低溫CMOS芯片的常溫預(yù)篩與參數(shù)表征。許多用于量子計(jì)算的控制芯片需在毫開(kāi)爾文溫度下工作，但其制造仍基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝。在封裝并送入稀釋制冷機(jī)前，必須通過(guò)常溫下的嚴(yán)格電性測(cè)試進(jìn)行預(yù)篩選。國(guó)磊（Guolei）GT600支持每引腳PPMU（參數(shù)測(cè)量單元）和可編程浮動(dòng)電源（-2.5V~7V），能精確測(cè)量微弱電流、漏電及閾值電壓漂移等關(guān)鍵參數(shù)，有效剔除早期失效器件，避免昂貴的低溫測(cè)試資源浪費(fèi)。量子測(cè)控SoC的量產(chǎn)驗(yàn)證平臺(tái) 隨著量子計(jì)算機(jī)向百比特以上規(guī)模演進(jìn)，集成化“量子測(cè)控SoC”成為趨勢(shì)（如Intel的Horse Ridge芯片）。這類(lèi)芯片集成了多通道微波信號(hào)調(diào)制、頻率合成、反饋控制等功能，結(jié)構(gòu)復(fù)雜度接近**AI或通信SoC。GT600的512~2048通道并行測(cè)試能力、128M向量深度及400MHz測(cè)試速率，完全可滿(mǎn)足此類(lèi)**SoC在工程驗(yàn)證與小批量量產(chǎn)階段的功能覆蓋與性能分bin需求。

    GT600SoC測(cè)試機(jī)在測(cè)試高可靠性產(chǎn)品（如車(chē)規(guī)芯片、工業(yè)級(jí)MCU、航天電子、**設(shè)備芯片）時(shí)，展現(xiàn)出精度、***性、穩(wěn)定性與可追溯性四大**優(yōu)勢(shì)，確保產(chǎn)品在極端環(huán)境下長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。首先，高精度參數(shù)測(cè)量是可靠性的基石。GT600配備每通道PPMU（參數(shù)測(cè)量單元），可精確測(cè)量nA級(jí)靜態(tài)漏電流（Iddq），識(shí)別因制造缺陷導(dǎo)致的微小漏電或潛在短路。這種“亞健康”芯片在常溫下可能功能正常，但在高溫或長(zhǎng)期使用后極易失效。GT600通過(guò)精密篩查，提前剔除隱患，大幅提升產(chǎn)品早期失效率（InfantMortality）的控制能力。其次，支持***的可靠性測(cè)試項(xiàng)目。GT600可配合溫控系統(tǒng)進(jìn)行高溫老化測(cè)試（Burn-in），在高溫高壓下運(yùn)行芯片數(shù)百小時(shí)，加速暴露早期缺陷。其浮動(dòng)SMU電源板卡能模擬車(chē)載12V/24V或工業(yè)設(shè)備的復(fù)雜電源環(huán)境，驗(yàn)證芯片在電壓波動(dòng)、負(fù)載突變下的穩(wěn)定性。對(duì)于通信類(lèi)高可靠產(chǎn)品，高精度TMU（10ps分辨率）可檢測(cè)信號(hào)時(shí)序漂移，確保長(zhǎng)期通信無(wú)誤碼。再次，高穩(wěn)定性與長(zhǎng)周期測(cè)試能力。GT600硬件設(shè)計(jì)冗余，散熱優(yōu)良，支持7x24小時(shí)連續(xù)運(yùn)行，可執(zhí)行長(zhǎng)達(dá)數(shù)周的耐久性測(cè)試，模擬產(chǎn)品十年生命周期。128M向量深度確保長(zhǎng)周期測(cè)試程序不中斷，數(shù)據(jù)完整。***，數(shù)據(jù)可追溯性強(qiáng)。 國(guó)磊GT600在400MHz速率下測(cè)試SerDes、GPIO、I2C、SPI、UART等接口的通信功能完成高速接口功能驗(yàn)證。

    測(cè)試數(shù)據(jù)閉環(huán)助力量子芯片協(xié)同優(yōu)化，杭州國(guó)磊（Guolei）GT600支持STDF、CSV等格式輸出，并具備數(shù)據(jù)分析與圖形化顯示功能。這些測(cè)試數(shù)據(jù)可與量子芯片的設(shè)計(jì)仿真平臺(tái)聯(lián)動(dòng)，形成“測(cè)試—反饋—優(yōu)化”閉環(huán)。例如，若某批次控制芯片的相位噪聲超標(biāo)，可反向指導(dǎo)量子比特布局或?yàn)V波器設(shè)計(jì)，提升整體系統(tǒng)相干時(shí)間。國(guó)產(chǎn)化替代保障量子科技供應(yīng)鏈**量子技術(shù)屬于**戰(zhàn)略科技力量，其**裝備的自主可控至關(guān)重要。杭州國(guó)磊（Guolei）作為國(guó)產(chǎn)**ATE廠(chǎng)商，其GT600系統(tǒng)已實(shí)現(xiàn)對(duì)國(guó)際同類(lèi)設(shè)備（如Advantest、Teradyne）部分功能的替代。在量子科研機(jī)構(gòu)或企業(yè)構(gòu)建本土化測(cè)控生態(tài)時(shí)，采用國(guó)產(chǎn)測(cè)試平臺(tái)可降低技術(shù)封鎖風(fēng)險(xiǎn)，加速?gòu)膶?shí)驗(yàn)室原型到工程化產(chǎn)品的轉(zhuǎn)化。雖然杭州國(guó)磊（Guolei）GT600并非直接用于測(cè)量量子態(tài)或操控量子比特，但作為支撐量子系統(tǒng)“經(jīng)典側(cè)”電子學(xué)的**測(cè)試基礎(chǔ)設(shè)施，它在量子芯片外圍電路驗(yàn)證、控制SoC量產(chǎn)、供應(yīng)鏈**等方面具有不可替代的價(jià)值。未來(lái)，隨著“量子-經(jīng)典混合系統(tǒng)”復(fù)雜度提升，高性能SoC測(cè)試設(shè)備與量子科技的耦合將更加緊密。因此，杭州國(guó)磊的SoC測(cè)試系統(tǒng)不僅是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的利器，也正在成為量子科技產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中的一塊關(guān)鍵拼圖。 監(jiān)測(cè)參數(shù)齊全，包括電阻、電流、電壓、溫濕度等，一目了然。杭州導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)批發(fā)

國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)支持多種面向復(fù)雜SoC的具體測(cè)試流程，涵蓋從基本功能驗(yàn)證到高精度參數(shù)測(cè)量的完整鏈條。杭州國(guó)磊GEN3測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)

數(shù)據(jù)中心芯片的“能效裁判” 在“雙碳”目標(biāo)下，數(shù)據(jù)中心能耗成為焦點(diǎn)，芯片能效比（Performance per Watt）成為**指標(biāo)。杭州國(guó)磊GT600通過(guò)PPMU精確測(cè)量AI加速芯片、服務(wù)器CPU的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)功耗，結(jié)合FVMI（強(qiáng)制電壓測(cè)電流）模式，繪制完整的功耗-性能曲線(xiàn)，幫助設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)優(yōu)化電壓頻率調(diào)節(jié)（DVFS）策略。其FIMV模式還可檢測(cè)芯片在高負(fù)載下的電壓跌落，防止因供電不穩(wěn)導(dǎo)致死機(jī)。杭州國(guó)磊GT600支持長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定性測(cè)試，模擬數(shù)據(jù)中心7x24小時(shí)運(yùn)行場(chǎng)景，篩選出“耐力型”芯片。512站點(diǎn)并行測(cè)試大幅降低單顆芯片測(cè)試時(shí)間與成本，適配萬(wàn)片級(jí)量產(chǎn)需求。杭州國(guó)磊GT600不僅是性能的驗(yàn)證者，更是能效的“精算師”，助力國(guó)產(chǎn)芯片在綠色計(jì)算時(shí)代贏(yíng)得市場(chǎng)。杭州國(guó)磊GEN3測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)